IXTY2R4N50P规格参数_ixty2r4n50p现货热销【斯普仑】

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IXTY2R4N50P

制造商：IXYS

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252

3498 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTY2R4N50P，现有足量库存。IXTY2R4N50P的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IXTY2R4N50P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTY2R4N50P的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IXTY2R4N50P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTY2R4N50P
描述	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252
制造商	IXYS
库存	3498
系列	PolarHV™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.75 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	240 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	55W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63