PSMN165-200K,518规格参数_psmn165-200k,518现货热销【斯普仑】

400-900-8690

PSMN165-200K,518

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO

2180 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN165-200K,518，现有足量库存。PSMN165-200K,518的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供PSMN165-200K,518数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PSMN165-200K,518的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PSMN165-200K,518产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PSMN165-200K,518
描述	MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	2180
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	165 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1330 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SO
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）