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PHK5NQ15T,518

制造商:Nexperia USA Inc.

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:MOSFET N-CH 150V 5A 8SO

3595 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PHK5NQ15T,518,现有足量库存。PHK5NQ15T,518的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供PHK5NQ15T,518数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PHK5NQ15T,518的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PHK5NQ15T,518,现有足量库存。PHK5NQ15T,518的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供PHK5NQ15T,518数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PHK5NQ15T,518的详细使用方法及教程。

PHK5NQ15T,518产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 PHK5NQ15T,518
描述 MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
制造商 Nexperia USA Inc.
库存 3595
系列 TrenchMOS™
包装 卷带(TR)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 75 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1150 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 6.25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

为智能时代加速到来而付出“真芯”