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FDFMA3N109

制造商:onsemi

封装外壳:6-VDFN 裸露焊盘

描述:MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

7757 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDFMA3N109,现有足量库存。FDFMA3N109的封装/规格参数为:6-VDFN 裸露焊盘;同时斯普仑现货为您提供FDFMA3N109数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有FDFMA3N109的详细使用方法及教程。

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FDFMA3N109产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 FDFMA3N109
描述 MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
制造商 onsemi
库存 7757
系列 PowerTrench®
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 123 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 220 pF @ 15 V
FET 功能 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-MicroFET(2x2)
封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘

为智能时代加速到来而付出“真芯”