FDI33N25TU规格参数_fdi33n25tu现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FDI33N25TU

制造商：onsemi

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

6379 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDI33N25TU，现有足量库存。FDI33N25TU的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供FDI33N25TU数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDI33N25TU的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FDI33N25TU产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FDI33N25TU
描述	MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
制造商	onsemi
库存	6379
系列	UniFET™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	94 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	48 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2135 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	235W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I2PAK（TO-262）
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA