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STB25NM50N

制造商:STMicroelectronics

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK

6523 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STB25NM50N,现有足量库存。STB25NM50N的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供STB25NM50N数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有STB25NM50N的详细使用方法及教程。

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STB25NM50N产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 STB25NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
制造商 STMicroelectronics
库存 6523
系列 MDmesh™ II
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 84 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2565 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 160W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”