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ZXMN6A25K

制造商:Diodes Incorporated

封装外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3

8767 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZXMN6A25K,现有足量库存。ZXMN6A25K的封装/规格参数为:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;同时斯普仑现货为您提供ZXMN6A25K数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有ZXMN6A25K的详细使用方法及教程。

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ZXMN6A25K产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 ZXMN6A25K
描述 MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
制造商 Diodes Incorporated
库存 8767
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1063 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.11W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

为智能时代加速到来而付出“真芯”