ZXMN10A11K规格参数_zxmn10a11k现货热销【斯普仑】

400-900-8690

ZXMN10A11K

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

3715 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZXMN10A11K，现有足量库存。ZXMN10A11K的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供ZXMN10A11K数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZXMN10A11K的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

ZXMN10A11K产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ZXMN10A11K
描述	MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
制造商	Diodes Incorporated
库存	3715
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT） , 剪切带（CT） , Digi-Reel® 得捷定制卷带
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	350 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	5.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	274 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.11W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252-3
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63