STFV4N150规格参数_stfv4n150现货热销【斯普仑】

400-900-8690

STFV4N150

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 1500V 4A TO220

6742 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STFV4N150，现有足量库存。STFV4N150的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供STFV4N150数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STFV4N150的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

STFV4N150产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STFV4N150
描述	MOSFET N-CH 1500V 4A TO220
制造商	STMicroelectronics
库存	6742
系列	PowerMESH™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	7 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1300 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220
封装/外壳	TO-220-3 全封装，隔离接片