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FDU8770

制造商：onsemi

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

1952 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDU8770，现有足量库存。FDU8770的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供FDU8770数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDU8770的详细使用方法及教程。

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FDU8770产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDU8770
描述 MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
制造商 onsemi
库存 1952
系列 PowerTrench®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 73 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3720 pF @ 13 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 115W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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