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IPB06N03LAT

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3

2367 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IPB06N03LAT,现有足量库存。IPB06N03LAT的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供IPB06N03LAT数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IPB06N03LAT的详细使用方法及教程。

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IPB06N03LAT产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IPB06N03LAT
描述 MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
制造商 Infineon Technologies
库存 2367
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2653 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”