BSS192PE6327T规格参数_bss192pe6327t现货热销【斯普仑】

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BSS192PE6327T

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-243AA

描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

3137 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSS192PE6327T，现有足量库存。BSS192PE6327T的封装/规格参数为:TO-243AA；同时斯普仑现货为您提供BSS192PE6327T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSS192PE6327T的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

BSS192PE6327T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSS192PE6327T
描述	MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
制造商	Infineon Technologies
库存	3137
系列	SIPMOS®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	12 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	104 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT89
封装/外壳	TO-243AA