欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

BSO4822T

制造商:Infineon Technologies

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

3370 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSO4822T,现有足量库存。BSO4822T的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供BSO4822T数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BSO4822T的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSO4822T,现有足量库存。BSO4822T的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供BSO4822T数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有BSO4822T的详细使用方法及教程。

BSO4822T产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 BSO4822T
描述 MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
制造商 Infineon Technologies
库存 3370
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 毫欧 @ 12.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 55µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 26.2 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1640 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-DSO-8
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

为智能时代加速到来而付出“真芯”