ISL9N302AS3规格参数_isl9n302as3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

ISL9N302AS3

制造商：onsemi

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK

3012 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的ISL9N302AS3，现有足量库存。ISL9N302AS3的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供ISL9N302AS3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ISL9N302AS3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

ISL9N302AS3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ISL9N302AS3
描述	MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
制造商	onsemi
库存	3012
系列	UltraFET™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	300 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	11000 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	345W（Tc）
工作温度	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	I2PAK（TO-262）
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA