IXTA6N100D2规格参数_ixta6n100d2现货热销【斯普仑】

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IXTA6N100D2

制造商：IXYS

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 1000V 6A TO263

5950 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTA6N100D2，现有足量库存。IXTA6N100D2的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供IXTA6N100D2数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXTA6N100D2的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IXTA6N100D2产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IXTA6N100D2
描述	MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
制造商	IXYS
库存	5950
系列	Depletion
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 欧姆 @ 3A，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	95 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2650 pF @ 25 V
FET 功能	耗尽模式
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263AA
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB