欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

NTMFS0D5N03CT1G

制造商:onsemi

封装外壳:8-PowerTDFN,5 引线

描述:MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,

1641 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFS0D5N03CT1G,现有足量库存。NTMFS0D5N03CT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN,5 引线;同时斯普仑现货为您提供NTMFS0D5N03CT1G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NTMFS0D5N03CT1G的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFS0D5N03CT1G,现有足量库存。NTMFS0D5N03CT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN,5 引线;同时斯普仑现货为您提供NTMFS0D5N03CT1G数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NTMFS0D5N03CT1G的详细使用方法及教程。

NTMFS0D5N03CT1G产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NTMFS0D5N03CT1G
描述 MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
制造商 onsemi
库存 1641
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 65A(Ta),464A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 0.52 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 330µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 178 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13000 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.9W(Ta),200W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳 8-PowerTDFN,5 引线

为智能时代加速到来而付出“真芯”