FQU2N100TU规格参数_fqu2n100tu现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FQU2N100TU

制造商：onsemi

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

6360 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQU2N100TU，现有足量库存。FQU2N100TU的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供FQU2N100TU数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQU2N100TU的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FQU2N100TU产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQU2N100TU
描述	MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
制造商	onsemi
库存	6360
系列	QFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9 欧姆 @ 800mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	520 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），50W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I-PAK
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA