CSD18532Q5B规格参数_csd18532q5b现货热销【斯普仑】

400-900-8690

CSD18532Q5B

制造商：Texas Instruments

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

2589 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD18532Q5B，现有足量库存。CSD18532Q5B的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD18532Q5B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD18532Q5B的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

CSD18532Q5B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CSD18532Q5B
描述	MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
制造商	Texas Instruments
库存	2589
系列	NexFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5070 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.2W（Ta），156W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-VSONP（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN