IRF9510PBF-BE3规格参数_irf9510pbf-be3现货热销【斯普仑】

400-900-8690

IRF9510PBF-BE3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

2039 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRF9510PBF-BE3，现有足量库存。IRF9510PBF-BE3的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRF9510PBF-BE3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF9510PBF-BE3的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRF9510PBF-BE3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF9510PBF-BE3
描述	MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
制造商	Vishay Siliconix
库存	2039
系列	-
包装	管件
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	200 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	43W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3