TP0606N3-G规格参数_tp0606n3-g现货热销【斯普仑】

TP0606N3-G

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

描述：MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

1339 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的TP0606N3-G，现有足量库存。TP0606N3-G的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；同时斯普仑现货为您提供TP0606N3-G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TP0606N3-G的详细使用方法及教程。

TP0606N3-G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TP0606N3-G
描述	MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
制造商	Microchip Technology
库存	1339
系列	-
包装	袋
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	320mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3.5 欧姆 @ 750mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	150 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-92-3
封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

TP0606N3-G

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