FQU13N06LTU规格参数_fqu13n06ltu现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FQU13N06LTU

制造商：onsemi

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

9190 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQU13N06LTU，现有足量库存。FQU13N06LTU的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供FQU13N06LTU数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQU13N06LTU的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FQU13N06LTU产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQU13N06LTU
描述	MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
制造商	onsemi
库存	9190
系列	QFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	115 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	350 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），28W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I-PAK
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA