CSD17313Q2T规格参数_csd17313q2t现货热销【斯普仑】

400-900-8690

CSD17313Q2T

制造商：Texas Instruments

封装外壳：6-WDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

6522 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD17313Q2T，现有足量库存。CSD17313Q2T的封装/规格参数为:6-WDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供CSD17313Q2T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD17313Q2T的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

CSD17313Q2T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	CSD17313Q2T
描述	MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
制造商	Texas Instruments
库存	6522
系列	NexFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	30 毫欧 @ 4A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	2.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	+10V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	340 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.4W（Ta），17W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	6-WSON（2x2）
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘