NTMS10P02R2G规格参数_ntms10p02r2g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

NTMS10P02R2G

制造商：onsemi

封装外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

6189 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMS10P02R2G，现有足量库存。NTMS10P02R2G的封装/规格参数为:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供NTMS10P02R2G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMS10P02R2G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

NTMS10P02R2G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMS10P02R2G
描述	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
制造商	onsemi
库存	6189
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	14 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	70 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3640 pF @ 16 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.6W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOIC
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）