TSM220NB06CR RLG规格参数_tsm220nb06cr rlg现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TSM220NB06CR RLG

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN

8389 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM220NB06CR RLG，现有足量库存。TSM220NB06CR RLG的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供TSM220NB06CR RLG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM220NB06CR RLG的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TSM220NB06CR RLG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TSM220NB06CR RLG
描述	MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
制造商	Taiwan Semiconductor Corporation
库存	8389
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	22 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1454 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta），68W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-PDFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerTDFN