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CSD25480F3T

制造商：Texas Instruments

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR

3632 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD25480F3T，现有足量库存。CSD25480F3T的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD25480F3T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD25480F3T的详细使用方法及教程。

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CSD25480F3T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD25480F3T
描述 MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR
制造商 Texas Instruments
库存 3632
系列 FemtoFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 132 毫欧 @ 400mA，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 0.91 nC @ 10 V
Vgs（最大值） -12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 155 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN

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