欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

   400-900-8690

CSD23381F4T

制造商：Texas Instruments

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR

7767 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD23381F4T，现有足量库存。CSD23381F4T的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD23381F4T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD23381F4T的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Texas Instruments设计生产的CSD23381F4T，现有足量库存。CSD23381F4T的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供CSD23381F4T数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有CSD23381F4T的详细使用方法及教程。

CSD23381F4T产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 CSD23381F4T
描述 MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
制造商 Texas Instruments
库存 7767
系列 FemtoFET™
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 175 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.14 nC @ 6 V
Vgs（最大值） -8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 236 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 3-PICOSTAR
封装/外壳 3-XFDFN

猜您喜欢

Texas Instruments

G15

Texas Instruments

E3M0065090D

Texas Instruments

C2M0080170P

Texas Instruments

CPMF-1200-S160B

Texas Instruments

CPMF-1200-S080B

Texas Instruments

CPM2-1200-0160B

Texas Instruments

CPM2-1200-0080B

Texas Instruments

BUK7Y25-80E/GFX

Texas Instruments

BUK7Y25-80E/CX

Texas Instruments

PSMN7R6-60XSQ

Texas Instruments

BUK761R5-40EJ

Texas Instruments

PSMN8R5-108ESQ

Texas Instruments

PSMN3R9-60XSQ

Texas Instruments

BUK9C1R3-40EJ

Texas Instruments

BUK951R8-40EQ

Texas Instruments

PMT760EN,115

Texas Instruments

PMT200EN,115

Texas Instruments

BUK9C5R3-100EJ

Texas Instruments

BUK9C3R8-80EJ

Texas Instruments

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”