IRF40R207规格参数_irf40r207现货热销【斯普仑】

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IRF40R207

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 40V 56A TO252

6186 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF40R207，现有足量库存。IRF40R207的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IRF40R207数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF40R207的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IRF40R207产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRF40R207
描述	MOSFET N-CH 40V 56A TO252
制造商	Infineon Technologies
库存	6186
系列	HEXFET®, StrongIRFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.1 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.9V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2110 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	83W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63