TPH2R003PL,LQ规格参数_tph2r003pl,lq现货热销【斯普仑】

400-900-8690

TPH2R003PL,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP

2204 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH2R003PL,LQ，现有足量库存。TPH2R003PL,LQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH2R003PL,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH2R003PL,LQ的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TPH2R003PL,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPH2R003PL,LQ
描述	MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	2204
系列	U-MOSIX-H
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.1V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6410 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	830mW（Ta），116W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳	8-PowerVDFN