DMTH6016LFDFWQ-7R规格参数_dmth6016lfdfwq-7r现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMTH6016LFDFWQ-7R

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-UDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

3634 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMTH6016LFDFWQ-7R，现有足量库存。DMTH6016LFDFWQ-7R的封装/规格参数为:6-UDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供DMTH6016LFDFWQ-7R数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMTH6016LFDFWQ-7R的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMTH6016LFDFWQ-7R产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMTH6016LFDFWQ-7R
描述	MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	3634
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	18 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	925 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.06W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘