欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149

   400-900-8690

STT6N3LLH6

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：SOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6

4639 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STT6N3LLH6，现有足量库存。STT6N3LLH6的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供STT6N3LLH6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STT6N3LLH6的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STT6N3LLH6，现有足量库存。STT6N3LLH6的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供STT6N3LLH6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STT6N3LLH6的详细使用方法及教程。

STT6N3LLH6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STT6N3LLH6
描述 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
制造商 STMicroelectronics
库存 4639
系列 DeepGATE™, STripFET™ VI
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 25 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 3.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 283 pF @ 24 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-6
封装/外壳 SOT-23-6

猜您喜欢

STMicroelectronics

G15

STMicroelectronics

E3M0065090D

STMicroelectronics

C2M0080170P

STMicroelectronics

CPMF-1200-S160B

STMicroelectronics

CPMF-1200-S080B

STMicroelectronics

CPM2-1200-0160B

STMicroelectronics

CPM2-1200-0080B

STMicroelectronics

BUK7Y25-80E/GFX

STMicroelectronics

BUK7Y25-80E/CX

STMicroelectronics

PSMN7R6-60XSQ

STMicroelectronics

BUK761R5-40EJ

STMicroelectronics

PSMN8R5-108ESQ

STMicroelectronics

PSMN3R9-60XSQ

STMicroelectronics

BUK9C1R3-40EJ

STMicroelectronics

BUK951R8-40EQ

STMicroelectronics

PMT760EN,115

STMicroelectronics

PMT200EN,115

STMicroelectronics

BUK9C5R3-100EJ

STMicroelectronics

BUK9C3R8-80EJ

STMicroelectronics

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”