TPN4R712MD,L1Q规格参数_tpn4r712md,l1q现货热销【斯普仑】

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TPN4R712MD,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON

8243 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPN4R712MD,L1Q，现有足量库存。TPN4R712MD,L1Q的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPN4R712MD,L1Q数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPN4R712MD,L1Q的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

TPN4R712MD,L1Q产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TPN4R712MD,L1Q
描述	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	8243
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	65 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4300 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	42W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳	8-PowerVDFN