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STT4P3LLH6

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：SOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

7239 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STT4P3LLH6，现有足量库存。STT4P3LLH6的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供STT4P3LLH6数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STT4P3LLH6的详细使用方法及教程。

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STT4P3LLH6产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STT4P3LLH6
描述 MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
制造商 STMicroelectronics
库存 7239
系列 DeepGATE™, STripFET™ H6
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 56 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 639 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-6
封装/外壳 SOT-23-6

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