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PXN5R4-30QLJ

制造商:Nexperia USA Inc.

封装外壳:8-PowerVDFN

描述:PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33

2324 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PXN5R4-30QLJ,现有足量库存。PXN5R4-30QLJ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN;同时斯普仑现货为您提供PXN5R4-30QLJ数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有PXN5R4-30QLJ的详细使用方法及教程。

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PXN5R4-30QLJ产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 PXN5R4-30QLJ
描述 PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
制造商 Nexperia USA Inc.
库存 2324
系列 -
包装 卷带(TR) , 剪切带(CT)
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Ta),66A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 14.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 36.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1600 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta),39W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 MLPAK33
封装/外壳 8-PowerVDFN

为智能时代加速到来而付出“真芯”