FQN1N50CTA规格参数_fqn1n50cta现货热销【斯普仑】

400-900-8690

FQN1N50CTA

制造商：onsemi

封装外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

描述：MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3

1297 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQN1N50CTA，现有足量库存。FQN1N50CTA的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；同时斯普仑现货为您提供FQN1N50CTA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQN1N50CTA的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

FQN1N50CTA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQN1N50CTA
描述	MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
制造商	onsemi
库存	1297
系列	QFET®
包装	剪切带（CT） , 带盒（TB）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	380mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	195 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	890mW（Ta），2.08W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-92-3
封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线