MVMBF0201NLT1G规格参数_mvmbf0201nlt1g现货热销【斯普仑】

400-900-8690

MVMBF0201NLT1G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3

5910 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的MVMBF0201NLT1G，现有足量库存。MVMBF0201NLT1G的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供MVMBF0201NLT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有MVMBF0201NLT1G的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

MVMBF0201NLT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	MVMBF0201NLT1G
描述	MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23-3
制造商	onsemi
库存	5910
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	45 pF @ 5 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	225mW（Ta）
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3