PJQ4403P_R2_00001规格参数_pjq4403p_r2_00001现货热销【斯普仑】

400-900-8690

PJQ4403P_R2_00001

制造商：Panjit International Inc.

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

9485 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Panjit International Inc.设计生产的PJQ4403P_R2_00001，现有足量库存。PJQ4403P_R2_00001的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供PJQ4403P_R2_00001数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PJQ4403P_R2_00001的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PJQ4403P_R2_00001产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PJQ4403P_R2_00001
描述	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
制造商	Panjit International Inc.
库存	9485
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.8A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	15.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1730 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta），30W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN3333-8
封装/外壳	8-PowerVDFN