DMP2018LFK-7规格参数_dmp2018lfk-7现货热销【斯普仑】

400-900-8690

DMP2018LFK-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-PowerUDFN

描述：MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN

5099 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP2018LFK-7，现有足量库存。DMP2018LFK-7的封装/规格参数为:6-PowerUDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP2018LFK-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP2018LFK-7的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMP2018LFK-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP2018LFK-7
描述	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	5099
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4748 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2523-6
封装/外壳	6-PowerUDFN