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NTZS3151PT1G

制造商：onsemi

封装外壳：SOT-563，SOT-666

描述：MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563

6388 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTZS3151PT1G，现有足量库存。NTZS3151PT1G的封装/规格参数为:SOT-563，SOT-666；同时斯普仑现货为您提供NTZS3151PT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTZS3151PT1G的详细使用方法及教程。

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NTZS3151PT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTZS3151PT1G
描述 MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
制造商 onsemi
库存 6388
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 860mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 150 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 5.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 458 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 170mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-563
封装/外壳 SOT-563，SOT-666

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