欢迎访问斯普仑网站
24小时电话: 0755-83299149 / 0755-83299149
制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：SOT-563，SOT-666
描述：MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J214FE(TE85L,F，现有足量库存。SSM6J214FE(TE85L,F的封装/规格参数为:SOT-563，SOT-666；同时斯普仑现货为您提供SSM6J214FE(TE85L,F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6J214FE(TE85L,F的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM6J214FE(TE85L,F，现有足量库存。SSM6J214FE(TE85L,F的封装/规格参数为:SOT-563，SOT-666；同时斯普仑现货为您提供SSM6J214FE(TE85L,F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM6J214FE(TE85L,F的详细使用方法及教程。
| SSM6J214FE(TE85L,F产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | SSM6J214FE(TE85L,F |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6 |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 5339 |
| 系列 | U-MOSVI |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.9 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 560 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
_SOT226%20Pkg.jpg)
