PMXB360ENEAZ规格参数_pmxb360eneaz现货热销【斯普仑】

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PMXB360ENEAZ

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：3-XDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

2941 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMXB360ENEAZ，现有足量库存。PMXB360ENEAZ的封装/规格参数为:3-XDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供PMXB360ENEAZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMXB360ENEAZ的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PMXB360ENEAZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMXB360ENEAZ
描述	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	2941
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	450 毫欧 @ 1.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	4.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	130 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	400mW（Ta），6.25W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN1010D-3
封装/外壳	3-XDFN 裸露焊盘