DMP56D0UFB-7B规格参数_dmp56d0ufb-7b现货热销【斯普仑】

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DMP56D0UFB-7B

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-UFDFN

描述：MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN

6735 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP56D0UFB-7B，现有足量库存。DMP56D0UFB-7B的封装/规格参数为:3-UFDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP56D0UFB-7B数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP56D0UFB-7B的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

DMP56D0UFB-7B产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP56D0UFB-7B
描述	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	6735
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	6 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	0.58 nC @ 4 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	50.54 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	425mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	X1-DFN1006-3
封装/外壳	3-UFDFN