SSM3J09FU,LF规格参数_ssm3j09fu,lf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SSM3J09FU,LF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：SC-70，SOT-323

描述：MOSFET P-CH 30V 200MA USM

1680 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM3J09FU,LF，现有足量库存。SSM3J09FU,LF的封装/规格参数为:SC-70，SOT-323；同时斯普仑现货为您提供SSM3J09FU,LF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM3J09FU,LF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SSM3J09FU,LF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SSM3J09FU,LF
描述	MOSFET P-CH 30V 200MA USM
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	1680
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3.3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.7 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.8V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	22 pF @ 5 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150mW（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	USM
封装/外壳	SC-70，SOT-323