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NTE4153NT1G

制造商：onsemi

封装外壳：SC-89，SOT-490

描述：MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3

8191 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTE4153NT1G，现有足量库存。NTE4153NT1G的封装/规格参数为:SC-89，SOT-490；同时斯普仑现货为您提供NTE4153NT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTE4153NT1G的详细使用方法及教程。

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NTE4153NT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTE4153NT1G
描述 MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
制造商 onsemi
库存 8191
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 915mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 230 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1.82 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 110 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300mW（Tj）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SC-89-3
封装/外壳 SC-89，SOT-490

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