PMXB65UPEZ规格参数_pmxb65upez现货热销【斯普仑】

400-900-8690

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：3-XDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3

2547 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMXB65UPEZ，现有足量库存。PMXB65UPEZ的封装/规格参数为:3-XDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供PMXB65UPEZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMXB65UPEZ的详细使用方法及教程。

PMXB65UPEZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMXB65UPEZ
描述	MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	2547
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	72 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	634 pF @ 6 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	317mW（Ta），8.33W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN1010D-3
封装/外壳	3-XDFN 裸露焊盘