SSM3J66MFV,L3XHF规格参数_ssm3j66mfv,l3xhf现货热销【斯普仑】

400-900-8690

SSM3J66MFV,L3XHF

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：SOT-723

描述：AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA

1402 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的SSM3J66MFV,L3XHF，现有足量库存。SSM3J66MFV,L3XHF的封装/规格参数为:SOT-723；同时斯普仑现货为您提供SSM3J66MFV,L3XHF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SSM3J66MFV,L3XHF的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

SSM3J66MFV,L3XHF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SSM3J66MFV,L3XHF
描述	AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	1402
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	800mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	390毫欧 @ 800mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	+6V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	100 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	150mW（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	VESM
封装/外壳	SOT-723