PMZB600UNELYL规格参数_pmzb600unelyl现货热销【斯普仑】

400-900-8690

PMZB600UNELYL

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3

8472 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMZB600UNELYL，现有足量库存。PMZB600UNELYL的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供PMZB600UNELYL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMZB600UNELYL的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

PMZB600UNELYL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMZB600UNELYL
描述	MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	8472
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	600mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	620 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	0.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	21.3 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	360mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN1006B-3
封装/外壳	3-XFDFN