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PMH1200UPEH

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：3-XFDFN

描述：MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3

3149 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMH1200UPEH，现有足量库存。PMH1200UPEH的封装/规格参数为:3-XFDFN；同时斯普仑现货为您提供PMH1200UPEH数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMH1200UPEH的详细使用方法及教程。

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PMH1200UPEH产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 PMH1200UPEH
描述 MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
制造商 Nexperia USA Inc.
库存 3149
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 520mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.6 欧姆 @ 410mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 0.95V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 1 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 33 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 380mW（Ta），2.8W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DFN0606-3
封装/外壳 3-XFDFN

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