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VMO1200-01F

制造商:IXYS

封装外壳:Y3-Li

描述:MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI

6536 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的VMO1200-01F,现有足量库存。VMO1200-01F的封装/规格参数为:Y3-Li;同时斯普仑现货为您提供VMO1200-01F数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有VMO1200-01F的详细使用方法及教程。

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VMO1200-01F产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 VMO1200-01F
描述 MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI
制造商 IXYS
库存 6536
系列 HiPerFET™
包装 托盘
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1220A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.35 毫欧 @ 932A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 64mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2520 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 Y3-Li
封装/外壳 Y3-Li

为智能时代加速到来而付出“真芯”