IMW120R030M1HXKSA1规格参数_imw120r030m1hxksa1现货热销【斯普仑】

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IMW120R030M1HXKSA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-247-3

描述：SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3

9387 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IMW120R030M1HXKSA1，现有足量库存。IMW120R030M1HXKSA1的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供IMW120R030M1HXKSA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IMW120R030M1HXKSA1的详细使用方法及教程。

产品参数
详细描述

IMW120R030M1HXKSA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IMW120R030M1HXKSA1
描述	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
制造商	Infineon Technologies
库存	9387
系列	CoolSiC™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	40 毫欧 @ 25A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.7V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	63 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2120 pF @ 800 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	227W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PG-TO247-3-41
封装/外壳	TO-247-3