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IXFH16N120P

制造商:IXYS

封装外壳:TO-247-3

描述:MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD

4113 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFH16N120P,现有足量库存。IXFH16N120P的封装/规格参数为:TO-247-3;同时斯普仑现货为您提供IXFH16N120P数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IXFH16N120P的详细使用方法及教程。

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IXFH16N120P产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IXFH16N120P
描述 MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
制造商 IXYS
库存 4113
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 950 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 120 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6900 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 660W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD(IXFH)
封装/外壳 TO-247-3

为智能时代加速到来而付出“真芯”